FEOL ETCH CLUSTER

300mm Dry Etch Platform bestaande uit een Process Module zoals hieronder omschreven: i. Conductor Dry Ether met ICP (Inductively Coupled Plasma) RF Source Power en Dual Bottom Bias capability (RF Bias + DC Pulse Bias aan 400kHz) ii. Deze Process Module moet het vermogen hebben om RF Bias en DC Bias te superponeren. Deze Process Module is bedoeld voor verschillende FEOL-toepassingen voor N2 technologie node en verder, in het bijzonder CFET (Complementary Field Effect Transistor) toepassingen inclusief maar niet bepe...