Ätzanlage zum tiefen Silicium-Ätzen für MEMS

Die Ruhr-Universität Bochum beabsichtigt eine DRIE Ätzanlage zu beschaffen, die im Forschungslabor Mikroelektronik Bochum für Wafer-Substrate bis 200 mm Durchmesser eingesetzt werden soll. Sie soll auf dem Gebiet der Silicium-basierten Mikro-Elektro-Mechanischen Systeme (MEMS) für das tiefe anisotrope Siliciumätzen auf Basis eines zyklischen Ätzprozesses (DRIE, "BOSCH-Prozess") eingesetzt werden und darüber hinaus der Erforschung neuer Ätzkonzepte dienen, die weniger klimaschädliche Ätzgase nutzen.